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Descripción
RF PARTS RD70HUF2 TRANSISTOR DE POTENCIA MOSFET PARA 175, 530 MHZ, 70 WATT.
DESCRIPCIÓN
El RF PARTS RD70HUF2 Transistor de Potencia MOSFET para 175, 530 MHz, 70 Watt. ofrece funciones pensadas para complementar proyectos de tecnología en hogar, oficina, comercio o empresa. Sus características permiten adaptarlo a diferentes necesidades de operación y uso cotidiano.
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Transistor de Potencia MOSFET para 175, 530 MHz, 70 Watt.
DESCRIPCIÓN
RD70HUF2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF, UHF RF.
CARACTERISTICAS
1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete
2. Empleando el paquete de molde
3. Alta potencia y alta eficiencia
Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz
Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz
4. Diodo integrado de protección de la puerta.
APLICACION
Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF, UHF de radios móviles.
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